[发明专利]具有增大栅耦合电容的集成电路

摘要

本发明涉及一种具有增大的栅耦合电容的集成电路(100)。所述集成电路(100)包括具有表面(110)的基底(102),该基底(102)具有一条在所述表面(110)下延伸的沟道(106)。一种沟道填充材料(108)设置于所述沟道(106)内并且有一部份(109)延伸至所述表面(110)上。第一导电层(116)与沟道填充材料(108)相邻并有一部分(118)延伸至所述沟道填充材料(108)的部分(109)上。一绝缘层沟道填充材料(122)处于所述第一导电层(116)上而且第二导电层(124)与该绝缘层沟道填充材料(122)相邻。

主权项

1.一种具有增大栅耦合电容的集成电路(100)，包含一个具有表面(110)的基底(102)，该基底(102)具有一条延伸在所述表面(110)下方的沟道(106)，其特征在于：一种沟道填充材料(108)沉积在所述沟道(106)内，并且有一部份(109)延伸至所述表面(110)的上方；第一导电层(116)位于所述基底(102)上方并与所述沟道填充材料(108)相邻，而且有一部分(109)延伸至所述沟道填充材料(108)的所述部分(109)上；一种绝缘材料(122)位于所述第一导电层(116)上；和第二导电层(124)与所述绝缘材料(122)相邻，因此所述集成电路(100)具有改进的栅耦合比率。