[发明专利]重结晶方法无效
申请号: | 00811242.8 | 申请日: | 2000-08-04 |
公开(公告)号: | CN1369025A | 公开(公告)日: | 2002-09-11 |
发明(设计)人: | 韦恩·C·黑曾;戴尔李·Jr·德纳姆;鲁道夫·普鲁斯日科;戴维·R·鲍曼 | 申请(专利权)人: | 环境工程公司 |
主分类号: | C30B17/00 | 分类号: | C30B17/00;C01D1/30;C01D3/24;C01D7/40;C01D7/00;C01D15/08;C01D17/00;C01D7/14;C01D7/37;C01D7/24;B01D9/00;C13K1/10;C22B26/10 |
代理公司: | 中国商标专利事务所 | 代理人: | 徐小琴 |
地址: | 美国怀俄*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种制备多晶型化合物的第一晶体结构的晶体的方法,它是通过在一定条件下,其中第一晶体结构的形成是有利的且不蒸发或温度不改变,将第二晶体结构的化合物引入化合物的饱和盐溶液中而实现。由于第二晶体结构的溶解,盐溶液成为过饱和的,这导致了通过形成第一晶体结构的晶体消除过饱和。此方法包括控制过饱和及它的消除以获得第一晶体结构的现有晶体的生长而不是成核作用和形成新晶体。根据大小分离的基础,将所得的晶体与不溶的杂质分离。 | ||
搜索关键词: | 重结晶 方法 | ||
【主权项】:
1.一种由含有化合物的第二晶体结构形式的原料流制备多晶型化合物的第一晶体结构形式的结晶方法,其包括:(a)将原料流加入化合物的饱和溶液中以产生至少约5g/l的过饱和;(b)优选通过晶体生长而不是亲核作用来消除过饱和,其中晶体是化合物的第一晶体结构形式;和(c)由饱和溶液中回收晶体。
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