[发明专利]具有对半导体制造中的废气流进行氧化处理用途的废气流处理系统无效
| 申请号： | 00809838.7 | 申请日： | 2000-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1359310A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 乔斯·I·阿尔诺 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | B01D53/34 | 分类号： | B01D53/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉,丁业平 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于处理废气的废气处理系统,如来自半导体制造设备(1210)的废气。所述废气流处理系统包括一个向其中加入含氧气体(如臭氧(1220))的氧化装置(1238),还输入能量(如热能、射频、电、微波等)以促进氧化所述气流中的可氧化成分,如卤化合物(如含氯氟烃、全氟化碳)、CO、NF3、氮氧化物和硫氧化物。所述废气处理系统可以包括与含氧气源相结合的湿式涤气器(1248),以致于在湿式洗涤操作过程中所述气流与含氧气体(1220)相接触,从而在处理过程中提高了对所述气流中可氧化成分的去除。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对半 导体 制造 中的 气流 进行 氧化 处理 用途 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理包含可氧化成分的气流的气流处理系统，包括：安装一氧化装置以接收气流并使气流处于氧化条件下以减少其中所含的可氧化成分；任选地安装一氧化前涤气器以除去气流中的可洗涤成分并将处理后的气流排放到氧化装置；任选地一氧化后涤气装置以接收来自氧化装置的气流并从气流除去可洗涤成分；设置一个提供含氧气流的含氧气源，以促进对该系统中气流的可氧化成分的去除。
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