[发明专利]YB2单晶的用途无效
| 申请号： | 00133608.8 | 申请日： | 2000-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1355552A | 公开（公告）日： | 2002-06-26 |
| 发明（设计）人： | 宋有庭;吴星;倪代秦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及YB2单晶的用途,即作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料。其步骤为利用熔盐籽晶提拉法或区熔法生长YB2单晶,经定向、切割、抛光制成以(0001)面为主表面的衬底,并在其上利用MOCVD或MBE技术外延生长GaN单晶薄膜。YB2作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料,可降低外延生长GaN单晶薄膜的位错密度;晶体比较容易生长;且在外延温度下不会挥发污染外延真空室。 | ||
| 搜索关键词： | yb2 用途 | ||
【主权项】：
1.一种YB2单晶的用途，其特征在于用作外延生长GaN单晶薄膜的衬底材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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