[发明专利]半导体面发光器件及其制造方法

摘要

半导体面发光器件的制造方法，包括在半导体面发光器件的n区(或p区)具有增强平行于p-n结平面的电子迁移率的二维电子气(二维空穴气)，以及在光输出面具有增强透光性网格状的电极。含有新结构的半导体面发光器件(如发光二极管，面输出的激光二极管等)具有光输出效率高，整个发光面发光均匀，避免了对厚度要求极其苛刻的金属透明电极，或减少了器件的厚度，以及由此带来制作成本低廉的优点。

主权项

1.一种半导体面发光器件的制造方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上依次生长1～10微米的n型氮化镓、有源区、0.1～1微米的p型氮化铝镓、0.1～1微米的p型氮化镓，形成器件的外延材料；2)采用常规的光刻工艺、刻蚀工艺器件工艺，将外延材料的部分表面刻蚀，露出n型氮化镓；3)采用常规的金属蒸发器件工艺，在p型氮化镓层上形成p-电极，在n型氮化镓层上形成n-电极；4)将器件切割成小块，器件的横向尺寸不小于100微米，最后是器件封装；5)在器件的透光面采用类似经线和纬线相互交织的网状结构的p-电极，并在其中具有可供器件电极引线的金属焊盘；6)在器件薄区含有一层或多层具有增强横向电流扩展的二维电子气或二维空穴气。