[发明专利]包层的中空阴极磁控管溅射靶的制造方法无效
| 申请号： | 00109853.5 | 申请日： | 2000-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1308146A | 公开（公告）日： | 2001-08-15 |
| 发明（设计）人： | 沙伊勒施·库尔卡尼;托尼·西卡;雷蒙德·K·F·拉姆 | 申请（专利权）人： | 普拉克斯埃阿ST技术公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01J23/05;H01J9/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘兴鹏 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种比单片靶更轻和/或更廉价的中空阴极磁控管溅射靶的制造方法。先将溅射靶材料板连接在比溅射靶材料更轻和/或更廉价的包层材料片上。然后将这种包层靶组件成型为中空阴极磁控管溅射靶,例如通过深拉成型。这种包层中空阴极磁控管进一步提供了比单片靶更大的溅射靶材料的百分利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 包层 中空 阴极 磁控管 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造HCM溅射靶的方法，包括如下步骤：将溅射靶材料板连接在包层材料片上以形成包层靶组件；将包层靶组件通过金属加工技术成型为中空阴极磁控管溅射靶。
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