[发明专利]边缘反射型声表面波器件无效
申请号: | 00106481.9 | 申请日: | 2000-04-07 |
公开(公告)号: | CN1269610A | 公开(公告)日: | 2000-10-11 |
发明(设计)人: | 门田道雄;川合浩史;吾乡纯也;堀内秀哉;根来泰宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L41/18 | 分类号: | H01L41/18;H01L41/22;H03H9/64 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种边缘反射型声表面波器件,包含由压电单晶制成,并具有第一和第二相对边缘的声表面波基片,至少一个设置在声表面波基片上的叉指式换能器。如此构成声表面波器件,从而切向水平型声表面波在第一和第二相对边缘之间反射。声表面波基片由离子注入的压电单晶基片制成。 | ||
搜索关键词: | 边缘 反射 表面波 器件 | ||
【主权项】:
1.一种边缘反射型声表面波器件,其特征在于包含:声表面波基片,由压电单晶制成,并具有第一和第二相对的边缘;至少一个叉指式换能器,设置在所述声表面波基片上,并设置得产生在所述第一和第二边缘之间反射的切向水平型声表面波。其中,所述声表面波基片是离子注入型压电单晶基片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所,未经株式会社村田制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/00106481.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:导电多孔体和金属多孔体以及使用其制成的电池极板
- 下一篇:有源矩阵器件