[发明专利]形成透明导电膜的方法以及采用该方法形成的透明导电膜无效

专利信息
申请号: 00106012.0 申请日: 2000-03-31
公开(公告)号: CN1269609A 公开(公告)日: 2000-10-11
发明(设计)人: 和田俊司;矢川博士;峰尾元久;青木裕一;筑后了治;吉井明彦 申请(专利权)人: 日本板硝子株式会社;住友重机械工业株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;G02F1/133;H01B5/14
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 甘玲
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种能够获得低比电阻和低膜压应力的透明导电膜制造方法和所得到的透明导电膜。将置于阳极相对位置的基片温度设置在不高于130℃。由构成阴极的放电等离子体发生装置生成等离子束,将该等离子束引导到阳极,从而使容纳在阳极中的蒸发材料蒸发并使被蒸发材料的微粒离子化,由此在基片的表面上形成透明导电膜。再将该透明导电膜置于不低于180℃的温度下进行热处理。所形成的透明导电膜具有230μΩ·cm或更小的比电阻和0.35GPa或更低的膜压应力。
搜索关键词: 形成 透明 导电 方法 以及 采用
【主权项】:
1.一种制造透明导电膜的方法,包括以下步骤:1)将置于阳极相对位置的基片的温度设置在不高于130℃;2)由构成阴极的放电等离子体发生装置生成等离子束,将该等离子束引导到所述阳极,从而使容纳在阳极中的蒸发材料蒸发并且使被蒸发材料的微粒离子化,由此在基片的表面上形成透明导电膜;且,3)将由此形成的透明导电膜置于不低于180℃的温度下进行热处理。
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